Karga-unitate bakunak manipulatzeko elementua

Japoniako ikerlariek, lehen aldiz, karga-unitate bakunak manipulatzeko silizioan oinarritutako elementua garatu dute. Elkarrengandik oso gertu dauden silizioan egindako bi MOSFET (normalean zirkuitu elektronikoak egiteko erabiltzen direnak) erabiliz, tresna berriak "zulo" (karga-eroale positiboak) bakunak sortu, gorde eta lekualdatzen ditu 25 Kelvinetan.

Siliziozko zirkuitu integratuetan haratago joateko bideak zabaltzen ditu lan honek. Izan ere, karga bakunak maneiatzen dituen elementu horrek elektroi bakuneko tunel-teknologiak baino aproposagoa da eskala handiko integraziorako.

Japoniako NTT ikerketa-laborategiko Akira Fujirawa eta Yasuo Takahashi-k eman duten garapenaren berri aste honetako Nature aldizkarian. Horrez gain, tresna honekin orain arte egiten direnak baino askoz korronte-neurketa zehatzagoak egin ahal izango dira.

Orain arte erabiltzen ziren neurketarako tresnak elektroi bakunetan oinarritutako sistemak erabiltzen zituzten, baina 10-12 ampere inguruko korronte oso baxuekin lan egin zezaketen bakarrik, eta neurtzeko oso lan zaila gertatzen zen.

Korrontea neurtzeko sistema aproposagoa nanoeskalan egindako CCDak erabiltzea izan daitekeela dirudi. Fujirawa eta Takahashi-k proposatzen duten elementuak bi potentzial-hobi ditu. "Zuloa" hobi batean harrapatu eta bestera banan-banan pasaraz daiteke. Hobi bakoitza miniaturazko transistore bati akoplatuta dagoenez, horrek silizioan dabilen korrontea neur dezake.