Element de manipulació d'unitats de càrrega simples

2001/03/29 Urresti, Igor - Elhuyar Zientziaren Komunikazioa

• Nanoteknologia
• Fisika

Investigadors japonesos han desenvolupat per primera vegada un element basat en el silici per a la manipulació d'unitats de càrrega senzilles. Utilitzant dos MOSFET (normalment utilitzats en circuits electrònics) fabricats en silici molt pròxim, el nou dispositiu crea, emmagatzema i trasllada "forats" simples (conductors de càrrega positius) a 25 Kelvin.

Aquest treball obre camins per a anar més enllà dels circuits integrats de silici. De fet, aquest element que maneja càrregues simples és més apropiat per a la integració a gran escala que la tecnologia túnel d'electró simple.

Akira Fujirawa i Yasuo Takahashi, del laboratori de recerca japonès NTT, han donat a conèixer el desenvolupament de la revista Nature d'aquesta setmana. A més, amb aquesta eina es podran realitzar mesuraments de corrent molt més precises que les que es realitzen fins ara.

Els instruments de mesura utilitzats fins al moment utilitzaven sistemes basats en electrons simples, però només podien treballar amb corrents molt baixos d'uns 10-12 amperes, la qual cosa dificultava enormement el mesurament.

Sembla que un sistema de mesurament de corrent més adequat pot ser l'ús de CCDs a nanoescala. L'element proposat per Fujirawa i Takahashi té dos jaciments de potencial. El "forat" pot ser atrapat en una fossa i transferit individualment. Atès que cada fossa està acoblada a un transistor en miniatura, aquest pot mesurar el corrent que circula pel silici.