Elemento de manipulación de unidades de carga simples

2001/03/29 Urresti, Igor - Elhuyar Zientziaren Komunikazioa

• Nanoteknologia
• Fisika

Investigadores japoneses han desarrollado por primera vez un elemento basado en el silicio para la manipulación de unidades de carga sencillas. Utilizando dos MOSFET (normalmente utilizados en circuitos electrónicos) fabricados en silicio muy próximo, el nuevo dispositivo crea, almacena y traslada "agujeros" simples (conductores de carga positivos) a 25 Kelvin.

Este trabajo abre caminos para ir más allá de los circuitos integrados de silicio. De hecho, este elemento que maneja cargas simples es más apropiado para la integración a gran escala que la tecnología túnel de electrón simple.

Akira Fujirawa y Yasuo Takahashi, del laboratorio de investigación japonés NTT, han dado a conocer el desarrollo de la revista Nature de esta semana. Además, con esta herramienta se podrán realizar mediciones de corriente mucho más precisas que las que se realizan hasta ahora.

Los instrumentos de medida utilizados hasta el momento utilizaban sistemas basados en electrones simples, pero sólo podían trabajar con corrientes muy bajas de unos 10-12 amperios, lo que dificultaba enormemente la medición.

Parece que un sistema de medición de corriente más adecuado puede ser el uso de CCDs a nanoescala. El elemento propuesto por Fujirawa y Takahashi tiene dos yacimientos de potencial. El "agujero" puede ser atrapado en una fosa y transferido individualmente. Dado que cada fosa está acoplada a un transistor en miniatura, éste puede medir la corriente que circula por el silicio.