Elément de manipulation des unités de charge simples

2001/03/29 Urresti, Igor - Elhuyar Zientziaren Komunikazioa

• Nanoteknologia
• Fisika

Des chercheurs japonais ont développé pour la première fois un élément basé sur le silicium pour la manipulation des unités de chargement simples. En utilisant deux MOSFET (généralement utilisés dans les circuits électroniques) en silicium très proche, le nouveau dispositif crée, stocke et transfère des "trous" simples (conducteurs de charge positifs) à 25 Kelvin.

Ce travail ouvre des voies pour aller au-delà des circuits intégrés de silicium. En fait, cet élément qui gère des charges simples est plus approprié pour l'intégration à grande échelle que la technologie tunnel à électron simple.

Akira Fujirawa et Yasuo Takahashi, du laboratoire de recherche japonais NTT, ont dévoilé le développement de la revue Nature de cette semaine. De plus, cet outil permet d'effectuer des mesures de courant beaucoup plus précises que celles effectuées jusqu'à présent.

Les instruments de mesure utilisés jusqu'à présent utilisaient des systèmes à électrons simples, mais ne pouvaient fonctionner qu'avec des courants très faibles d'environ 10-12 ampères, ce qui rendait la mesure très difficile.

Il semble qu'un système de mesure de courant plus approprié peut être l'utilisation de CCD à échelle nanométrique. L'élément proposé par Fujirawa et Takahashi a deux gisements de potentiel. Le "trou" peut être pris dans une fosse et transféré individuellement. Chaque fosse étant attachée à un transistor miniature, il peut mesurer le courant circulant dans le silicium.