Elemento de manipulación de unidades de carga simples

2001/03/29 Urresti, Igor - Elhuyar Zientziaren Komunikazioa

• Nanoteknologia
• Fisika

Investigadores xaponeses desenvolveron por primeira vez un elemento baseado no silicio paira a manipulación de unidades de carga sinxelas. Utilizando dous MOSFET (normalmente utilizados en circuítos electrónicos) fabricados en silicio moi próximo, o novo dispositivo crea, almacena e traslada "buracos" simples (condutores de carga positivos) a 25 Kelvin.

Este traballo abre camiños paira ir máis aló dos circuítos integrados de silicio. De feito, este elemento que manexa cargas simples é máis apropiado paira a integración a gran escala que a tecnoloxía túnel de electrón simple.

Akira Fujirawa e Yasuo Takahashi, do laboratorio de investigación xaponés NTT, deron a coñecer o desenvolvemento da revista Nature desta semana. Ademais, con esta ferramenta poderanse realizar medicións de corrente moito máis precisas que as que se realizan até agora.

Os instrumentos de medida utilizados até o momento utilizaban sistemas baseados en electróns simples, pero só podían traballar con correntes moi baixas duns 10-12 amperios, o que dificultaba enormemente a medición.

Parece que un sistema de medición de corrente máis adecuado pode ser o uso de CCDs a nanoescala. O elemento proposto por Fujirawa e Takahashi ten dous xacementos de potencial. O "buraco" pode ser atrapado nunha fosa e transferido individualmente. Dado que cada fosa está axustada a un transistor en miniatura, este pode medir a corrente que circula polo silicio.